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扩大和三星、SK海力士合作

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扩大和三星、SK海力士合作

IT之家 6 月 4 日消息,根据韩媒 koreaherald 报道,英特尔计划在韩国首尔设立科研实验室,通过扩展和三星、SK 海力士的合作,推进适用于数据中心的 DRAM 芯片研发工作。

位于首尔的数据中心开发实验室将于今年年底前竣工开业,主要负责为数据中心开发 DDR5 DRAM 内存技术。

英特尔在 Vision 2023 活动中,还表示在美国、中国、印度和墨西哥等地再设立 6 个科研机构,主要负责研究和认证服务器半导体芯片。

英特尔还扩大和三星、SK 海力士的合作,测试和评估 DDR5 和 Compute Express Link 等下一代内存产品的性能。

IT之家此前报道,SK 海力士最近宣布其第 5 代 10nm 工艺 1bnm 已完成验证,满足下一代 DDR5 和 HBM3E 的解决需求。

该公司表示,Xeon Scalable 获得了英特尔认证,以支持基于 10 亿纳米节点构建的 DDR5 产品。三星还开始量产采用 12nm 工艺节点的 16B DDR5 DRAM。