近期制造出了我国首台核心部件100%国产化的高端晶圆激光切割设备,据华工科技激光半导体产品总监黄伟介绍,半导体晶圆属于硬脆材料,一个12英寸(300毫米)的晶圆上有数千颗甚至数万颗芯片晶圆机械切割的热影响和崩边宽度约20微米,传统激光在10微米左右。
切割线宽的减少,意味着晶圆能做到更高的集成度,从而使得半导体制造更经济、更有效率。
近期制造出了我国首台核心部件100%国产化的高端晶圆激光切割设备,据华工科技激光半导体产品总监黄伟介绍,半导体晶圆属于硬脆材料,一个12英寸(300毫米)的晶圆上有数千颗甚至数万颗芯片晶圆机械切割的热影响和崩边宽度约20微米,传统激光在10微米左右。
切割线宽的减少,意味着晶圆能做到更高的集成度,从而使得半导体制造更经济、更有效率。