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三星延长存储芯片产量削减计划

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三星延长存储芯片产量削减计划

站长之家 7月27日 消息:三星电子在报告今年第二季度存储芯片部门运营亏损34亿美元(4.36万亿韩元)后,继续削减其存储芯片产量,包括用于智能手机和 PC 的 NAND 闪存。全球最大的存储芯片制造商公布,过去六个月其半导体业务运营亏损约70亿美元。

此前,由于消费设备需求依然疲弱,三星在季度利润创下2009年以来最差季度利润后,于 4月份大幅削减了存储芯片产量。

这家科技巨头的目标是为未来创造更光明的人工智能前景:它表示,由于强劲的人工智能需求,计划到2024年加倍生产高性能存储芯片,如高带宽内存 (HBM)。HBM用于人工智能、5G、物联网 (IoT) 和图形处理应用,与传统 NAND 相比,可提供更快的数据处理速度和更低的功耗。

该公司表示:“由于客户继续调整库存,服务器需求仍然疲软,但由于主要超大规模企业增加了对人工智能的投资,对高密度/高性能产品的需求保持强劲。”

在今天的财报电话会议上,三星内存部门执行副总裁 Jaejune Kim 表示,三星将继续削减内存芯片产量,针对特定产品进行调整,但将把包括 HBM 在内的高性能内存芯片产能提高一倍,以应对市场需求。 Kim 表示,这些先进的存储芯片预计将持续增长。

两种主要存储芯片——DRAM 和 NAND——用于从智能手机到数据中心服务器的设备中。例如,DRAM 内存使大型语言模型(包括 Open AI 的 ChatGPT)能够执行更高级的功能。DRAM 还有助于加快多任务处理和构建复杂人工智能应用程序的数据处理速度。NAND有助于存储数据。

三星制定了代工业务计划,到2025年采用2纳米生产手机零部件。

该公司周四公布,2023年第二季度全公司营业利润为6700亿韩元(约合5.24亿美元),低于去年同期的14.1万亿韩元。该数字好于三星本月早些时候发布的初步报告,预计其第二季度营业利润可能下降96%,为6000亿韩元(4.59亿美元)。

尽管第二季度营业利润下降了95%,但三星预计全球存储芯片需求将在今年下半年逐步反弹。