伴随着新能源汽车的持续火热，碳化硅（SiC）受到了更多的追捧，TechInsights报告指出，预计碳化硅市场收益在2022年至2027年期间将以35％的复合年增长率从12亿美元增长到53亿美元，到2029年，该市场规模将增长到94亿美元，其中中国将占一半。
作为第三代半导体材料，碳化硅相较于硅材料，具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点，因而广泛应用于新能源车的主驱逆变器、OBC、DC/DC 转换器和非车载充电桩等关键电驱电控部件。
但当我们看向整个第三代半导体市场时，会发现与碳化硅类似的氮化镓（GaN），受重视程度却稍逊一筹，但实质上氮化镓这一种材料在性能上独具特色，具有很多碳化硅所没有的优势，如今东芝、罗姆等大厂们先后入场，让这一材料成为了功率半导体新的增长点。
仅从物理特性来看，氮化镓甚至比碳化硅更适合做功率半导体的材料。有研究比较了这两种材料的“Baliga性能指数（半导体材料相对于硅的性能数值，即硅为1）”，4H-碳化硅为500，氮化镓为900，效率相对更高。
此外，碳化硅的绝缘破坏电场强度（表示材料的耐电压特性）为2.8MV/cm，氮化镓为3.3MV/cm，这一数值也比碳化硅来得高。一般而言，低频工作时的功耗损失是绝缘破坏电场的三次方，高频工作时的功耗损失是绝缘破坏电场的2次方，成反比例关系，所以，数值更高的氮化镓的在功率损耗上更低，即工作效率比碳化硅更高。
有媒体指出，随着氮化镓耐压能力的进一步提升，其可实现承受1200V超高电压，并具备更高性价比，在新能源市场的应用优势将会逐步推出，市场前景更为广阔。
也就是说，未来的氮化镓有望超越碳化硅，成为第三代半导体中最闪耀的一颗星星，而有关它的技术上的更迭变化，成为了新的功率半导体风向标。
大厂涌向氮化镓
作为第三代半导体的翘楚，大量厂商力图在GaN上实现技术突破以抢占市场先机，为了让功率 GaN 达到更高的击穿电压（>1200V），部分技术创新已经登上舞台，例如垂直 GaN-on-GaN，以及通过使用电隔离衬底实现更多单片集成，例如 IMEC 在 GaN-on 方面的工作-SOI 或 GaN-on-QST。
更值得大家关注的是，更多功率器件厂商加入到这场混战当中，有关技术方面的动向尤其值得我们关注。
日本大厂东芝旗下的东芝器件及存储在“TECHNO-FRONTIER 2023”上展出了最新一代碳化硅功率器件和氮化镓功率器件，其计划于2024年进入氮化镓功率器件市场，这也是它首款氮化镓产品的第一次展出。
