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三星、美光闪存先后大涨价

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三星、美光闪存先后大涨价

天风国际分析师郭明錤发文称,继三星在8月份涨价后,美光也将自9月开始调涨NAND Flash晶圆合约价约10%,这将有助于改善美光下半年获利。

郭明錤分析称,DRAM方面,美光可望最快自4Q23/1Q24开始受益于三个趋势,包括英特尔新平台Meteor Lake加速DDR5渗透率增长、AI服务器强劲需求推升HBM出货,以及品牌与处理器厂在设备上推广LLM有利于DDR/LPDDR规格升级。

摩根士丹利在最新报告中指出,由于NAND价格已触底,闪存厂商群联目前已看到来自大陆的模组与智能手机客户需求增强,部分客户甚至已接受了30%至35%的价格上涨。

今年8月初,业内就传出消息称,三星已通知客户,打算将512Gb NAND Flash晶圆的报价提高到1.60美元,比2023年初的1.40美元的价格上涨了约15%,这一变化最早可能在8月中旬反映在现货市场价格中。并有两大厂商私下证实,并表示“先前该产品1.45-1.48的美元低价位,未来不会再出现了”。

随后在8月17日,Digitime爆料称,国内的NAND Flash模组厂近日已暂停报价及接单,将配合原厂(三星)报价调高8~10%。此举将有望拉动NAND Flash价格逐步回升到制造成本线。

9月3日,市场研究机构TrendForce发布报告指出,近期NAND Flash现货市场颗粒报价受到晶圆合约价成功拉涨消息带动,部分品项出现较积极询价需求。近日,日系外资也发布报告称,DRAM 受 AI服务器需求带动,库存水平下滑而价格上涨,NAND Flash价格已经低于供应商现金成本,未来价格下降幅度有限,预计 7-9 月维持稳定,10-12 月份开始回升。

而存储芯片市场的企稳,主要是得益于铠侠、美光、SK海力士、三星等头部存储厂商的积极减产。有业内人士爆料称,三星已制定生产计划,目标年底NAND Flash库存正常化(6-8周水平)。今年年初,三星NAND Flash库存周转天数超过20周,最高一度飙升至28周,但最近已降至了18周。TrendForce的报告显示,三星最初的减产幅度为25%,第四季减产可能扩大到35%。随着这些头部厂商的持续扩大减产,这也自然将加速存储市场的触底反弹。

至于模组厂,由于NAND Flash晶圆涨价已带来成本提升压力,模组厂近期纷纷释出调涨终端产品的意向,主要体现在SSD产品方面,金士顿(Kingston)、Phison等模组厂近期亦回归官方价格来进行交易,不再开放客户另议以低价成交。

金士顿还表示,由于产品价格便宜,从8月起拒绝客户降价,并会重建部分NAND库存。

另外,据台媒8月31日消息,近1个月来,NAND Flash现货价格持续小幅调升,单月涨幅约达5%,逐渐靠拢合约价。不过也有机构提醒,由于相关采购订单是基于供应端报价调涨而涌现,是否有实际终端订单支撑仍待观察。