今天跟大家聊一聊：国产芯片有可能绕过光刻机吗？三项技术成为关键，能实现一个就有希望。
截止目前为止，国产芯片的技术和欧美国家相比，依然存在着不小的劣势，依靠目前国内的工业水平，完全自主生产45nm的芯片都有点费劲，此前任正非就感慨道：“华为研发设计的芯片，国内制造不出来。”
这句话也直反映出了问题所在，就算国内的半导体企业再努力，但是在芯片制程工艺上，始终还是无法获得很好的突破，为什么会出现这样的情况呢？其实主要问题就出在了光刻机上，目前硅基芯片的制造是离不开光刻机的。
但只有荷兰的ASML公司能够生产尖端的EUV光刻机，其中使用到了大量的美国技术，因此我们想要进口EUV光刻机也受到了很大的限制，生产硅基芯片最为重要的两个部分就是光刻机以及光刻胶，缺少任何一部分都会影响到最终的制程工艺以及良品率。
由于缺少了尖端EUV光刻机的供应，就算是拥有先进制程工艺的中芯国际，也仅能实现14nm芯片的量产，目前ASML公司的大部分产能，基本上都被台积电以及三星占据，台积电已经预定了超50台的顶尖光刻机，预计在年底将完成安装下线，而三星的负责人李在镕，更是直接前往ASML公司进行协商购买光刻机事宜，希望他们能尽快交付，由此可以看出光刻机的重要性。
美国的相关限制对国内半导体的发展造成了很大的冲击，此前华为海思已经成为全球十大半导体企业之一，已经具备了研发设计5nm芯片的工艺，麒麟芯片的诞生更是让人眼前一亮，但是在麒麟9000芯片停产之后，他们逐渐陷入了困境，华为海思也慢慢淡出了我们的视线，不知道已经多久没有听到他们的消息了。
面对这样的情况，我们也找出了问题所在，所有的矛头都指向了光刻机，从最早之前的华为宣布开始芯片的全产业链技术研发，再到后来中科院宣布正式入局光刻机，之后国家也把集成电路列为了一级学科，为的就是能够多培养在这方面的人才。
国人想尽了各种办法打破困境，目前也已经取得了突破性的进展，目前也已经诞生了三项技术，只要能够实现其中的一个，就有希望绕过ASML的光刻机实现对于高端芯片的制造。
碳基芯片的研发
从芯片诞生以来，一直采用的都是硅基材料，而这项技术是由美国研发出来的，因此我们想要在硅基芯片上实现突破，基本上已经没希望了，但想要摆脱美国的技术封锁还是有很多方式的。
此前北大的彭练矛教授团队，就已经提出了关于碳基芯片的概念，同等工艺的碳基芯片，在性能上至少是硅基芯片的十倍，也就意味着依靠目前国内的光刻机，就能够实现对于芯片的制造，而且只要能够生产出45nm的芯片，就能够达到目前7nm硅基芯片的性能。
凭借着目前国内的工艺水平，生产出45nm的芯片还是没有什么压力的，碳基也被认定为是最有可能成为下一代的半导体材料，而从技术层面出发的话，中国目前已经在该领域遥遥领先，一旦实现技术突破的话，我们就有希望摆脱ASML的光刻机了。
上海微电子研发的国产光刻机
上海微电子是国内顶尖的光刻机制造商，之前就有消息称，他们将会在今年生产出28nm制程切点的光刻机，预计工艺水平将达到ASML公司的高端DUV光刻机的水平。在上海微电子实现生产制造28nm的光刻机之后，到时候布局28nm到14nm纯国产的生产线，应该是不成问题的。
而利用DUV光刻机生产7nm的芯片，此前也并非没有先例，此前台积电就是利用多种曝光工艺生产出了7nm的芯片，而中芯国际也表示，将会在今年的4月份利用DUV光刻机，实现对于7nm芯片的风险试产，7nm的芯片已经能够满足国内95%的需求了，所以在上海微电子的光刻机实现之后，芯片的困境将得到很好的缓解。
改进集成电路技术
此前中芯国际的负责人蒋尚义就表示：“实现单一芯片的性能，不单单只能从制程工艺上下手，理论上通过先进的集成电路技术以及封装工艺，也能达到提高性能的效果。”
而目前台积电以及中芯国际，都已经在着手研发更为先进的封装技术以及集成电路技术了，预计将会在2022年完成相应的实验，而目的就是为了降低美国的技术占比，还能在一定程度上降低成本和提高性能。
目前华为海思、中芯国际等等企业，已经联合了超过90家企业，筹建中国集成电路标准化技术委员会，主要目的就是加速集成电路技术的发展，好在这三项核心技术之中，只要能够实现其中的一个，就能够很好的解决目前中国在半导体领域的困境，对此你们有什么看法呢？
