近日，CNMO了解到，清华大学集成电路学院教授任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得突破，首次制备出亚1纳米栅极长度的晶体管，其具有良好的电学性能，实现了中国芯片再一次突破。相关成果发表在最新一期《自然》杂志在线版上。
晶体管是一种固体半导体器件，作为芯片的核心元器件，更小的栅极尺寸能让芯片上集成更多的晶体管，提升产品的性能。但是当尺寸小到一定程度时，也出现了相应的问题。
近年来，随着晶体管的物理尺寸进入纳米尺度，电子迁移率降低、漏电流增大、静态功耗增大等问题也随之而来，并且越来越严重。因此，解决这个问题迫在眉睫。
据了解，为了突破1纳米以下栅长晶体管的瓶颈，任天令团队利用石墨烯薄膜超薄的单原子层厚度和优异的导电性能，将其作为栅极，通过石墨烯侧向电场来控制垂直的二硫化钼沟道的开关，从而实现等效的物理栅长为0.34纳米。任天令还表示，如果要把试验成果走向产业化，需要借助光刻机。
此外，任天令还介绍到：“此次试验成功意味着这也是一个新的开始，还将会有新的探索——诞生更小级别的晶体管。对于本工作而言，我们团队在实现世界上栅长最小晶体管基础上，还实现了更低功耗的晶体管，这就意味着未来的芯片可以更加节能。”
